SK hynix hôm thứ Năm (18/6) cho biết họ đã gửi mẫu bộ nhớ HBM4E 12 lớp, thế hệ bộ nhớ băng thông cao tiếp theo dành cho trí tuệ nhân tạo, cho các khách hàng lớn, đưa công ty vào giai đoạn thẩm định khách hàng khoảng ba tuần sau khi đối thủ Samsung Electronics tuyên bố là đơn vị đầu tiên trong ngành thực hiện lô hàng này.
Thông báo này đánh dấu sự chuyển dịch trong cuộc cạnh tranh HBM4E từ lộ trình sản phẩm sang giai đoạn quyết định hơn, trong đó các nhà sản xuất chip AI xác minh bộ nhớ bên trong các nền tảng tăng tốc thực tế của họ. Trong bộ nhớ băng thông cao, được đóng gói cùng với GPU để giảm bớt tắc nghẽn dữ liệu trong quá trình huấn luyện và suy luận AI, việc giao mẫu là điểm khởi đầu để khách hàng xác nhận chứ không phải là bằng chứng về sản xuất hàng loạt.
SK hynix cho biết chip 12 lớp của họ cung cấp dung lượng 48 gigabyte và tốc độ truyền dữ liệu lên đến 16 gigabit mỗi giây, đồng thời cải thiện hiệu suất năng lượng hơn 20% so với thế hệ HBM4 trước đó. Công ty đã áp dụng quy trình đóng gói MR-MUF tiên tiến, một phương pháp lấp đầy các khoảng trống giữa các chip xếp chồng lên nhau bằng vật liệu bảo vệ để tăng cường độ ổn định cấu trúc và tản nhiệt. Họ cho biết quy trình này đã giảm điện trở nhiệt khoảng 17% so với HBM4, một lợi ích quan trọng vì bộ nhớ nhanh hơn tạo ra nhiều nhiệt hơn trong môi trường điện toán mật độ cao.
Cách thức cạnh tranh này rất đáng chú ý. Samsung đã thông báo vào ngày 29 tháng 5 rằng họ đã bắt đầu vận chuyển các mẫu HBM4E 12 lớp đầu tiên trên thế giới, với các thông số tương đương là 48 gigabyte và 16 gigabit mỗi giây. SK hynix không tuyên bố là người đầu tiên. Thay vào đó, họ dựa vào thành tích của mình trên các thế hệ HBM3, HBM3E và HBM4 để chứng minh rằng họ có thể duy trì khả năng cung cấp đã được chứng minh cho thế hệ mới.
Ông Ahn Hyun, chủ tịch kiêm giám đốc phát triển của công ty, cho biết SK hynix đã "đặt nền móng để củng cố vị thế dẫn đầu về trí tuệ nhân tạo với HBM4E", và sẽ tăng cường vị thế "là nhà sản xuất bộ nhớ AI toàn diện".
Theo Counterpoint Research, SK hynix dẫn đầu thị trường HBM với thị phần khoảng 58%, vượt xa Samsung với khoảng 21% và Micron, công ty cũng đang đẩy mạnh sản xuất thế hệ tiếp theo. HBM4E dự kiến sẽ là nền tảng cốt lõi cho nền tảng tăng tốc Rubin Ultra của Nvidia, dự kiến ra mắt vào năm tới, do đó việc kiểm định mẫu hiện tại là bước đệm cho các thiết kế đó.
Công ty không tiết lộ khách hàng nào đã nhận được mẫu thử và chưa cam kết ngày sản xuất hàng loạt, chỉ cho biết sẽ hợp tác với các đối tác "để sản xuất hàng loạt một cách kịp thời".