Bộ phận bán dẫn của SK Group cho biết HBM3 cũng đi kèm với công suất lớn nhất và mức chất lượng được cải thiện so với ba phiên bản tiền nhiệm - HBM, HBM2 và HBM2E.
DRAM mới có thể được sử dụng trong các trung tâm dữ liệu hiệu suất cao, nền tảng máy học, phòng thí nghiệm trí tuệ nhân tạo và các lĩnh vực khác đòi hỏi hiệu suất siêu máy tính, theo SK hynix.
Cha Seon-yong, phó chủ tịch điều hành phụ trách phát triển DRAM của công ty cho biết: “Kể từ khi ra mắt DRAM HBM đầu tiên trên thế giới, SK hynix đã thành công trong việc phát triển HBM3 đầu tiên của ngành sau khi dẫn đầu thị trường HBM2E. "Chúng tôi sẽ tiếp tục nỗ lực để củng cố vị trí dẫn đầu trong thị trường bộ nhớ cao cấp và giúp nâng cao giá trị cho khách hàng bằng cách cung cấp các sản phẩm phù hợp với tiêu chuẩn quản lý ESG."
SK hynix bày tỏ hy vọng rằng chip HBM3 sẽ giúp củng cố vị thế trên thị trường toàn cầu. SK là nhà sản xuất DRAM số 2 thế giới sau Samsung Electronics.
HBM3 là thế hệ thứ tư của dòng chip nhớ HBM được phát triển để tăng tốc độ xử lý dữ liệu. Đặc biệt, HBM3 cung cấp băng thông và dung lượng được cải thiện hơn so với chip HBM2. HBM3 có thể xử lý lên đến 819 GB mỗi giây, tăng 78% so với HBM2E.
Nó cũng sửa lỗi dữ liệu với sự trợ giúp của mã sửa lỗi tích hợp sẵn, giúp cải thiện đáng kể độ tin cậy của sản phẩm. HBM3 sẽ có sẵn trong các phiên bản 24GB và 16GB.
Sự phát triển mới nhất được đưa ra sau khi SK bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM2E vào năm 2020.
Một lưu ý liên quan, giá DRAM đã giảm gần đây do lo ngại ngày càng tăng về nhu cầu đối với thiết bị kỹ thuật số chậm lại. Sự bất ổn trong chuỗi cung ứng công nghệ và chi phí nguyên vật liệu tăng cao cũng đang hạn chế khả năng giá chip tăng trở lại.