Mặc dù IMF dự đoán GDP thế giới sẽ giảm 4,9% trong năm nay, nhưng ngành bán dẫn dự kiến sẽ đi ngang hoặc tăng nhẹ, Marced chỉ ra, trong khi khách hàng đang tỏ ra khao khát các sản phẩm sáng tạo và quy trình mới.
Marced đã chỉ ra một số đổi mới quan trọng của khách hàng, bao gồm Bristol’s Graphcore, công ty đã cung cấp bộ xử lý phức tạp nhất thế giới chứa 59,4 tỷ bóng bán dẫn được sản xuất trên quy trình 7nm của TSMC. Marced cho biết: “TSMC và Graphcore đang xem xét những lợi thế có được từ quy trình 3nm.
Ở quy trình 16nm, chip đầu tiên của Graphcore chứa 24 tỷ bóng bán dẫn, ở quy trình 7nm, chip của nó có 59 tỷ bóng bán dẫn, do đó, ở bước sóng 3nm, nó có thể đạt hơn 100 tỷ bóng bán dẫn. Dự kiến sản xuất khối lượng trên 3nm cho nửa sau của năm 2022.
Giám đốc điều hành TSMC C C Wei
Giám đốc điều hành TSMC C C Wei cho biết, nhà máy Fab 18 - “thiết bị tiên tiến nhất trên hành tinh” - đã đi vào sản xuất số lượng lớn trên quy trình 5nm vào quý 2 năm 2020. Ông Wei cho biết nhà máy fab mất tám tháng để xây dựng và là Gigafab thứ tư của TSMC. Vào năm tới, vào Q4, quy trình 5nm sẽ được tinh chỉnh thành nút được chỉ định là N4 và vào năm 2022, quy trình sản xuất số lượng lớn trên 3nm sẽ bắt đầu.
Wei nhắc lại phương pháp tiếp cận kinh doanh của TSMC: “Niềm tin của khách hàng là một trong những giá trị cốt lõi của chúng tôi”, ông nói, “chúng tôi chưa bao giờ cạnh tranh với khách hàng và chúng tôi chưa bao giờ có sản phẩm của riêng mình”.
Y J Mii, svp R&D, cho biết TSMC đã nhận được 140 sản phẩm từ khách hàng trên quy trình 7nm và dự kiến sẽ có 200 vào cuối năm nay. Mii nói rằng quy trình N7 + là quy trình sử dụng EUV đầu tiên trên thế giới trong sản xuất số lượng lớn. Một cải tiến cho nút, N6, có mật độ cải thiện 18% so với N7. N5 nhanh hơn 15%, với ít điện năng hơn 30% và mật độ cải thiện 1,8 lần so với N7. Quy trình N5P cải thiện thêm 5% tốc độ và cải thiện 10% điện năng.
N4 bắt đầu sản xuất rủi ro vào quý 4 năm 2021 và sản xuất số lượng lớn vào năm 2022.
N3, quy trình 3nm, cải thiện tốc độ 10-15% ở cùng mức công suất hoặc giảm năng lượng 25-30% ở cùng tốc độ, với cải thiện mật độ logic là 1,7 lần, cải thiện mật độ SRAM là 1,2 lần và Cải thiện mật độ tương tự lên 1,1x. Sản xuất rủi ro trên N3 bắt đầu vào năm 2021 và sản xuất số lượng lớn vào nửa sau của năm 2022.
Các vật liệu và cấu trúc bóng bán dẫn mới bao gồm SRAM bảng nano 32Mb được sản xuất với năng suất tốt và thiết bị đo công suất BEOL CNT tích hợp với silicon CMOS.
YP Chin, bộ phận vận hành svp, nói với hội nghị chuyên đề rằng, TSMC đang tăng công suất với tốc độ CAGR là 28%. Ông nói rằng công suất 5nm, bắt đầu sản xuất số lượng lớn vào quý 2, sẽ tăng gấp ba vào năm 2022. Chin nói thêm rằng TSMC hiện sở hữu 50% công suất EUV đã lắp đặt trên thế giới. Ông cũng cho biết, nhà máy fab 2nm của công ty sẽ được xây dựng tại địa điểm ban đầu - Hsinchu - trên khu đất đã được TSMC mua lại.