SK hynix sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt tại nhà máy đóng gói tiên tiến của mình ở Indiana vào năm 2029.
Phát biểu tại lễ khởi công nhà máy bán dẫn của công ty ở West Lafayette, Indiana vào ngày 27 tháng 8, CEO của SK hynix, ông Kwak Noh-Jung, cho biết Hoa Kỳ đang là trung tâm đổi mới sáng tạo về trí tuệ nhân tạo (AI) và SK hynix đã gia nhập hệ sinh thái năng động này thông qua việc niêm yết chứng chỉ lưu ký tại Mỹ (ADR) vào tháng trước. Ông khẳng định khoản đầu tư quy mô lớn này đánh dấu sự khởi đầu cho một hành trình mới nhằm định hình tương lai của AI tại Indiana.
CEO của SK hynix, ông Kwak Noh-Jung, phát biểu tại lễ khởi công nhà máy của công ty ở Indiana.
Nhà máy tại Indiana sẽ là tổ hợp đóng gói bán dẫn tiên tiến đầu tiên thuộc loại hình này tại Hoa Kỳ. Đây sẽ đóng vai trò là cơ sở đóng gói tại Mỹ của SK hynix dành cho bộ nhớ băng thông cao (HBM). Các tấm wafer HBM được sản xuất tại các nhà máy chế tạo bán dẫn giai đoạn đầu (front-end) của công ty ở Hàn Quốc sẽ được vận chuyển đến cơ sở này để thực hiện quy trình đóng gói tiên tiến và kiểm tra độ tin cậy. Sau đó, các sản phẩm hoàn thiện sẽ được cung cấp cho các khách hàng là những tập đoàn công nghệ lớn (Big Tech) của Hoa Kỳ.
Một trung tâm nghiên cứu và phát triển (R&D) tại địa phương cũng sẽ được tích hợp cùng với cơ sở sản xuất này. Khách hàng, các trường đại học và nhà cung cấp sẽ hợp tác chặt chẽ từ khâu thiết kế nguyên mẫu cho đến khâu kiểm định cuối cùng, qua đó giúp rút ngắn chu kỳ phát triển sản phẩm.
SK hynix sẽ đầu tư hơn 4 tỷ USD vào cơ sở tại Indiana. Đây sẽ là dự án phát triển tư nhân lớn nhất trong lịch sử bang Indiana.
Bộ Thương mại Hoa Kỳ cũng đã chốt khoản tài trợ liên bang trị giá 458 triệu USD cho dự án tại Indiana theo chương trình Đạo luật CHIPS.
Nghi thức nhấn nút tại lễ khởi công nhà máy của SK hynix ở Indiana.
Công tác làm móng hiện đang được triển khai tại công trường, và việc xây dựng các hạng mục chính dự kiến sẽ bắt đầu vào tháng 10. SK hynix đặt mục tiêu hoàn thành phòng sạch vào tháng 10 năm 2028, sau đó tiến hành sản xuất hàng loạt dòng HBM thế hệ thứ bảy (hay còn gọi là HBM4E) vào quý 3 năm 2029. Công suất sản xuất hàng năm dự kiến sẽ đạt hàng trăm nghìn đơn vị sản phẩm.
"Đến năm 2030, nhà máy tại Indiana sẽ trở thành cơ sở sản xuất HBM trọng yếu của SK hynix tại Hoa Kỳ," ông Kwak cho biết.
Tại lễ khởi công, SK hynix cũng đã ký kết biên bản ghi nhớ (MOU) về khuôn khổ hợp tác với Đại học Purdue nằm gần đó. Quan hệ hợp tác này hướng tới việc cùng nghiên cứu về các loại chip bán dẫn thế hệ mới và phát triển nguồn nhân lực tài năng toàn cầu.