Hôm qua, thứ Ba (30/5), gã khổng lồ chip bộ nhớ của Hàn Quốc cho biết, chip bộ nhớ DDR5 DRAM mới nhất dành cho máy chủ, còn được gọi là chip DRAM DDR5 1bnm, hiện nằm trong chương trình bộ nhớ được Intel Data Center Certified dành cho các sản phẩm DDR5 nhắm mục tiêu vào nền tảng Intel Xeon Scalable.
Sản phẩm DDR5 mà SK hynix cung cấp cho Intel có tốc độ hoạt động là 6,4 gigabit/giây, khiến nó trở thành DRAM nhanh nhất. So với nguyên mẫu ban đầu của DDR5, sản phẩm mới xử lý dữ liệu nhanh hơn 33%.
Sản phẩm này cũng dựa trên quy trình High-K Metal Gate (HKMG), giúp giảm mức tiêu thụ điện năng hơn 20 phần trăm so với DDR5 thế hệ thứ tư, còn được gọi là 1anm DDR5.
SK hynix cho biết: "Quy trình HKMG là quy trình thế hệ tiếp theo sử dụng vật liệu có hằng số điện môi cao trong màng cách điện của bóng bán dẫn DRAM để ngăn rò rỉ dòng điện và cải thiện điện dung. Nó giảm mức tiêu thụ điện năng đồng thời tăng tốc độ".
SK hynix nhấn mạnh rằng việc phát triển sản phẩm mới nhất sẽ cho phép công ty cung cấp cho khách hàng toàn cầu các sản phẩm DRAM mang lại hiệu suất cao trong khi tiêu thụ ít năng lượng hơn.
"SK hynix hy vọng quá trình xác thực sản phẩm DDR5 1bnm với Intel sẽ diễn ra suôn sẻ sau khi xác nhận thành công khả năng tương thích của sản phẩm DDR5 máy chủ 1anm của chúng tôi với bộ xử lý Intel Xeon Scalable thế hệ thứ 4," Kim Jong-hwan, trưởng bộ phận Phát triển DRAM tại SK hynix , nói.
"Trong bối cảnh kỳ vọng ngày càng tăng rằng thị trường bộ nhớ sẽ bắt đầu phục hồi từ nửa cuối năm, chúng tôi tin rằng công nghệ DRAM dẫn đầu ngành của chúng tôi, đã được chứng minh một lần nữa thông qua quá trình sản xuất hàng loạt quy trình 1 tỷ lần này, sẽ giúp chúng tôi cải thiện thu nhập từ nửa cuối năm," Kim thêm.
Dimitrios Ziakas, phó chủ tịch Bộ nhớ và Công nghệ IO của Intel, cũng cho biết "Intel đã hợp tác với ngành công nghiệp bộ nhớ để đảm bảo khả năng tương thích của bộ nhớ DDR5 trên nền tảng Intel Xeon Scalable. 1bnm của SK hynix là thế hệ đầu tiên được nhắm mục tiêu cho thế hệ tiếp theo Nền tảng có thể mở rộng Intel Xeon."