Theo các nguồn tin trong ngành vào ngày 21 tháng 7, Samsung đã chọn nhà sản xuất thiết bị đóng gói tiên tiến BE Semiconductor Industries (BESI) của Hà Lan làm nhà cung cấp ưu tiên và đã bắt đầu quá trình mua sắm khoảng 50 hệ thống ghép nối D2W. Dây chuyền dự kiến sẽ được lắp đặt tại nhà máy P5 ở khu phức hợp Pyeongtaek.
Richard Blickman, Giám đốc điều hành của BESI, trước đó đã cho biết trong cuộc họp báo cáo thu nhập quý đầu tiên của công ty vào tháng 4 năm 2026 rằng "những diễn biến cụ thể hơn" liên quan đến việc Samsung áp dụng các máy ghép nối lai của họ dự kiến sẽ diễn ra vào khoảng giữa năm nay. Vào thời điểm đó, thiết bị ghép nối lai của BESI đang trải qua quá trình kiểm định của Samsung.
Tuy nhiên, đơn đặt hàng vẫn chưa được hoàn tất. Samsung đã yêu cầu sửa đổi thiết kế thiết bị, làm trì hoãn việc thỏa thuận về lịch trình giao hàng. Những sửa đổi này bao gồm thay đổi kiến trúc hệ thống, linh kiện hoặc mô-đun để đáp ứng các yêu cầu cụ thể của khách hàng.
Giá cả cũng làm phức tạp thêm các cuộc đàm phán. Các nguồn tin trong ngành ước tính rằng máy hàn lai của BESI có giá khoảng 6 tỷ won mỗi đơn vị - gấp đôi giá của các hệ thống cạnh tranh.
"BESI cung cấp máy hàn lai cho các công ty như TSMC và Micron, và họ không muốn thiết kế lại thiết bị của mình dành riêng cho Samsung," một nguồn tin trong ngành cho biết. "Samsung vẫn coi công nghệ của BESI là lựa chọn mạnh nhất, nhưng khi các cuộc đàm phán trở nên phức tạp hơn, họ cũng đang đánh giá các nhà cung cấp trong nước có thể đáp ứng nhanh hơn các yêu cầu của mình."
Công ty con sản xuất thiết bị bán dẫn của Samsung, Semes, cũng đã được yêu cầu cung cấp máy hàn lai D2W cho dây chuyền sản xuất và đang hy vọng cung cấp thiết bị cho hai dây chuyền sản xuất hàn lai tại khu phức hợp Pyeongtaek.
"Ban đầu Semes cảm thấy áp lực đáng kể sau khi Samsung ưu tiên BESI, nhưng gần đây tâm lý đã thay đổi," một nguồn tin khác trong ngành cho biết.
Semes đã hoàn thành việc phát triển máy hàn lai D2W của mình vào đầu năm nay và đã cung cấp các thiết bị thử nghiệm cho Samsung để xác minh hiệu suất. Các nguồn tin trong ngành cho rằng thiết bị này đã vượt qua thành công các thử nghiệm nội bộ.
Samsung cũng đang xem xét Hanwha Semitech như một nhà cung cấp tiềm năng. Công ty này đã hoàn thành việc phát triển máy hàn lai D2W thế hệ thứ hai, SHB2 Nano, vào tháng 2 và đã cung cấp một hệ thống thử nghiệm cho SK hynix vào tháng 4 năm 2026.
Nền tảng thử nghiệm được cung cấp dưới dạng một cụm tích hợp kết hợp máy hàn và mô-đun kích hoạt plasma của Hanwha Semitech với EFEM (Mô-đun giao diện thiết bị) từ CyMechs và mô-đun làm sạch wafer từ Zeus.
Việc Samsung đầu tư vào dây chuyền sản xuất hàn lai D2W tại Pyeongtaek gắn liền với công nghệ đóng gói tiên tiến cho HBM và chất bán dẫn logic.
Ngoài các hoạt động đóng gói tiên tiến hiện có tại Cheonan, Samsung đang phát triển khả năng hàn lai thế hệ tiếp theo tại Pyeongtaek cho các sản phẩm HBM trong tương lai.
Việc thay thế phương pháp liên kết nén nhiệt (TC) truyền thống bằng liên kết đồng lai (HCB) giữa các chip DRAM HBM có thể cải thiện đáng kể hiệu năng, giảm tiêu thụ điện năng và giảm sinh nhiệt. Công nghệ này liên kết trực tiếp đồng và vật liệu điện môi mà không cần sử dụng các vi điểm tiếp xúc, rút ngắn khoảng cách kết nối giữa các chip.
Công nghệ này được kỳ vọng sẽ đóng vai trò quan trọng trong HBM tùy chỉnh (cHBM). Samsung dự định thay thế chip HBM cơ bản truyền thống bằng chip logic dành riêng cho khách hàng, tích hợp tài sản trí tuệ (IP) tính toán độc quyền. Chip logic này sẽ bổ sung cho CPU và GPU bên ngoài đồng thời tối ưu hóa việc truyền dữ liệu, với các chồng chip DRAM HBM được tích hợp theo chiều dọc phía trên nó trong kiến trúc hệ thống trong gói 3D (SiP).
Vào tháng 6 năm 2026, Samsung Foundry đã giới thiệu 3D Cube-H, giải pháp xếp chồng theo chiều dọc 3D dựa trên liên kết lai thế hệ tiếp theo. Công nghệ tích hợp không đồng nhất này nhắm đến các chip AI và hệ thống điện toán hiệu năng cao (HPC), mang lại những cải tiến về hiệu năng, hiệu quả năng lượng và băng thông so với các công nghệ đóng gói hiện có. Samsung Foundry đang tích cực quảng bá công nghệ này đến khách hàng.
Dự kiến thiết bị ghép nối lai sẽ bắt đầu được chuyển đến khu phức hợp Pyeongtaek của Samsung vào cuối năm nay. Tuy nhiên, về nội bộ, Samsung đang đặt mục tiêu sản xuất thương mại quy mô lớn bằng công nghệ ghép nối lai vào năm 2030, phản ánh sự phức tạp trong sản xuất của công nghệ này so với công nghệ ghép nối TC thông thường.
Một nguồn tin trong ngành cho biết việc áp dụng rộng rãi công nghệ ghép nối lai có thể trùng với thời điểm ra mắt bộ tăng tốc AI Feynman thế hệ tiếp theo của NVIDIA, dự kiến vào khoảng năm 2029.