Samsung đề xuất sử dụng bộ nhớ DRAM mới chủ yếu trong các hệ thống trí tuệ nhân tạo dựa trên mô hình ngôn ngữ lớn (LLM), mặc dù bộ nhớ này cũng phù hợp với các khối lượng công việc khác.

Về thông số kỹ thuật, LLW DRAM là bộ nhớ có mức tiêu thụ điện năng thấp, khả năng I/O cao, độ trễ thấp và băng thông 128 GB/giây trên mỗi mô-đun. Điều này có thể so sánh với sự kết hợp giữa bộ nhớ DDR5-8000 và bus 128 bit. Một trong những tính năng chính của LLW DRAM là mức tiêu thụ điện năng thấp ở mức 1,2 pJ/bit, mặc dù công ty không tiết lộ giá trị này được đo ở tốc độ truyền dữ liệu nào.

Hiện tại Samsung vẫn chưa tiết lộ chi tiết kỹ thuật cụ thể về LLW DRAM, nhưng do công ty đã phát triển các bộ nhớ có giao diện rộng như GDDR6W được một thời gian nên có thể Samsung sẽ kết hợp dung lượng của một số mô-đun DRAM này thành gói duy nhất sử dụng công nghệ FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) để tăng băng thông giao diện và giảm mức tiêu thụ điện năng.

Samsung đã tiêu chuẩn hóa bộ nhớ GDDR6W vào quý 2/2022 và có kế hoạch sử dụng bộ nhớ này trong các hệ thống AI hay hệ thống điện toán hiệu năng cao (HPC), vì vậy có khả năng LLW DRAM sẽ được sử dụng trong các thiết bị điện toán biên dành cho hệ thống AI như smartphone, laptop và thậm chí cả hệ thống ô tô tự lái.

Không rõ chính xác khi nào LLW DRAM sẽ được sử dụng trong chipset của Samsung, nhưng dòng Galaxy S24 được cho là sẽ là những chiếc smartphone đầu tiên sử dụng công nghệ này. Samsung đã chuẩn bị các tính năng trí tuệ nhân tạo mới cho điện thoại thông minh cao cấp tiếp theo của mình, bao gồm AI Live Translate Call, công ty đã xác nhận sẽ ra mắt vào đầu năm tới.

Và Samsung được cho là sẽ giới thiệu S24 như một “điện thoại AI”. Cuối cùng, Galaxy S24 cũng có thể đóng vai trò là bệ phóng cho LLW DRAM.

Samsung dự kiến sẽ ra mắt chiếc smartphone cao cấp tiếp theo của mình vào ngày 17 tháng 1 tại San Jose.