Theo các nguồn tin trong ngành hôm thứ Hai, Samsung Electronics có thể bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ HBM4 thế hệ tiếp theo ngay từ tháng tới, với những lô hàng đầu tiên dự kiến sẽ được gửi đến các khách hàng lớn như Nvidia và AMD.
Động thái này có thể đánh dấu một bước ngoặt đối với Samsung trên thị trường bộ nhớ băng thông cao dành cho trí tuệ nhân tạo, nơi hãng đã tụt hậu so với đối thủ nhỏ hơn SK hynix trong những năm gần đây.
Các nhà quan sát trong ngành cho rằng nỗ lực thu hẹp khoảng cách của Samsung phụ thuộc vào quyết định táo bạo áp dụng quy trình DRAM 10 nanomet (1c) thế hệ thứ sáu — lần đầu tiên trong ngành — bất chấp tỷ lệ sản phẩm đạt chất lượng ban đầu thấp. Công ty cũng đã áp dụng quy trình sản xuất 4 nanomet tiên tiến hơn cho chip logic, hoạt động như bộ điều khiển của khối bộ nhớ.
Theo các nguồn tin, Samsung gần đây đã vượt qua các bài kiểm tra chất lượng cuối cùng do Nvidia và AMD thực hiện và hiện đang chuẩn bị bắt đầu sản xuất hàng loạt vào tháng tới. Chip HBM4 dự kiến sẽ được sử dụng trong các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo dự kiến ra mắt vào nửa cuối năm nay, bao gồm nền tảng Rubin của Nvidia và MI450 của AMD.
Sự phát triển này diễn ra trong bối cảnh các khách hàng hàng đầu về chip AI được cho là đã điều chỉnh lại các tiêu chuẩn đánh giá chất lượng, nâng cao yêu cầu về tốc độ trong khi nới lỏng giới hạn nhiệt độ — về cơ bản là ưu tiên hiệu năng thô hơn là biên độ nhiệt độ hoạt động.
Các chuyên gia trong ngành cho biết những thay đổi này xuất phát từ những tiến bộ gần đây trong các bộ tăng tốc AI tùy chỉnh, bao gồm cả các bộ xử lý tensor của Google, vốn đã chứng minh hiệu năng AI tương đương hoặc vượt trội so với GPU của Nvidia vào năm ngoái.
Trong các bài kiểm tra đánh giá chất lượng mới nhất, chip HBM4 của Samsung đã đạt tốc độ truyền dữ liệu 10,7 gigabit mỗi giây, đáp ứng yêu cầu 10 Gbps của Nvidia, theo một chuyên gia trong ngành giấu tên. Để so sánh, SK hynix và Micron Technology ghi nhận tốc độ lần lượt khoảng 8,3 Gbps và khoảng 8 Gbps.
“Sự thay đổi trong nhu cầu thị trường đã nâng cao tiêu chuẩn về tốc độ trong khi cho phép nhiệt độ hoạt động cao hơn,” chuyên gia này nói với tờ The Korea Herald. “Quyết định của Samsung tiếp tục đẩy mạnh quy trình DRAM 1c, bất chấp tỷ lệ sản phẩm đạt chất lượng ban đầu rất thấp, dường như là yếu tố then chốt để đạt được hiệu năng cần thiết.”
Chuyên gia cho biết thêm, kết quả này thu được trong quá trình thử nghiệm quy mô đầy đủ, đồng thời lưu ý rằng các lô thử nghiệm nhỏ hơn đôi khi có thể cho ra điểm chuẩn cao hơn.
Trước đó, Samsung cho biết chip HBM4 của họ đạt tốc độ truyền dữ liệu lên đến 11,7 Gbps. SK hynix, công ty đã công bố phát triển chip HBM4 đầu tiên trong ngành vào tháng 9 năm ngoái, cũng cho biết sản phẩm của họ đạt tốc độ lên đến 11,7 Gbps.
Đối với Samsung, việc kết hợp quy trình DRAM 1c với chip logic 4 nanomet do chính hãng sản xuất đã mang lại sự linh hoạt hơn trong thiết kế về mật độ và định tuyến xuyên silicon, cho phép tốc độ đầu vào và đầu ra cao hơn, chuyên gia cho biết.
Ngược lại, HBM4 của SK hynix sử dụng quy trình DRAM 10 nanomet (1b) thế hệ thứ năm và chip logic 12 nanomet do TSMC sản xuất.
Sau các bài kiểm tra đánh giá mới nhất, SK hynix được cho là đã thiết kế lại chip HBM4 của mình trong khi vẫn duy trì cùng một nút quy trình 1b và hiện đang chờ kết quả của các đánh giá mới, các nguồn tin trong ngành cho biết.
Cả Samsung và SK hynix đều dự kiến công bố kết quả kinh doanh quý IV vào thứ Năm, trong đó dự kiến sẽ cập nhật thông tin về đơn đặt hàng HBM4 và nhu cầu của khách hàng.
Thời điểm này rất quan trọng đối với các nhà cung cấp bộ nhớ. Giám đốc điều hành của Nvidia, Jensen Huang, cho biết hồi đầu tháng rằng nền tảng Vera Rubin thế hệ tiếp theo của công ty đã được “sản xuất hàng loạt” trước khi ra mắt vào nửa cuối năm nay.