Một loạt thông tin về thông số kỹ thuật và thời điểm ra mắt của bộ đôi Galaxy Note 20 và Note 20 Plus đã được hé lộ từ dung lượng RAM đến công nghệ vân tay dưới màn hình, kích thước pin và nhiều hơn thế nữa.

 

Cụ thể, nguồn tin đến từ trang Galaxy Club mới đây vừa tiết lộ rằng model Galaxy Note 20+ sẽ được trang bị viên pin với tên mã EB-BN985ABY và có dung lượng 4,500 mAh. Như vậy, nếu thông tin rò rỉ ngày hôm nay là chính xác thì dung lượng pin của Galaxy Note 20+ chỉ tăng nhẹ 200 mAh so với người tiền nhiệm Note 10+.

 

Mặc dù không có dung lượng pin đạt mức kỳ vọng là 5,000 mAh như Galaxy S20 Ultra nhưng nhiều khả năng Galaxy Note 20+ sẽ mang đến thời lượng sử dụng tốt hơn thế hệ trước. Đó là bởi vì tính năng thay đổi tần số quét và công nghệ hiển thị tiết kiệm năng lượng hơn dự kiến ​​sẽ ra mắt cùng với Galaxy Note 20 series, cho phép Samsung mang đến những cải tiến đáng chú ý về thời lượng pin so với dòng Galaxy Note 10.

 

Theo giám đốc điều hành chuỗi cung ứng màn hình Ross Young, bộ đôi Galaxy Note 20 và Note 20 Plus sẽ trang bị trên mình cảm biến vân tay 3D Sonic Max thế hệ thứ 2 của Qualcomm. Cảm biến 3D Sonic Max đã được Qualcomm giới thiệu từ tháng 12/2019, với kích thước lớn hơn và có thể nhận diện được 2 dấu vân tay cùng lúc.

 

Cảm biến vân tay tích hợp trên bộ đôi Galaxy S10 và Note 10 dường như không cho kết quả như người dùng mong đợi. Nhưng với trang bị cảm biến vân tay thế hệ mới, kích thước lớn hơn đến 17 lần, hứa hẹn cho tốc độ mở khóa nhanh hơn nhiều. Hơn nữa cảm biến 3D Sonic Max còn nhận diện được 2 dấu vân tay cùng lúc, người dùng có thể an tâm hơn về khả năng bảo mật.

 

Young tiếp tục tiết lộ Galaxy Note 20 và Note 20 Plus sẽ có vị trí đặt camera selfie không đổi so với dòng Galaxy Note 10. Nghĩa là lỗ bấm chứa cảm biến máy ảnh trên màn hình vẫn nằm ở chính giữa. Trước đây Young từng tiết lộ Galaxy Note 20 trang bị màn hình 6.42 inch, còn Galaxy Note 20 Plus tích hợp màn hình 6.87 inch.

Ngoài ra, công ty Hàn Quốc này còn được báo cáo là đang làm việc trên con chip Exynos 992 mới để tích hợp cho các flagship Galaxy Note tiếp theo của hãng. SoC này dự kiến sẽ được xây dựng trên tiến trình 6nm nên mang đến hiệu năng tốt hơn đồng thời tiết kiệm năng lượng hơn so với Exynos 990.