Để dẫn đầu cuộc chơi trong lĩnh vực smartphone, chip được coi là trung tâm của vấn đề. Trong khi Apple đang rất thành công với các dòng chip 5 nanomet và sắp tới có thể là 4 nanomet thì Samsung đang chuẩn bị đưa chip 3 nanomet vào sản xuất.

 

Samsung Foundry, xưởng đúc độc chip lớn thứ hai trên toàn thế giới sau TSMC, đã thực hiện một số thay đổi đối với quy trình 3nm của mình theo AnandTech.

 

Samsung Foundry, xưởng đúc độc lập lớn thứ hai trên toàn thế giới sau TSMC, đã thực hiện một số thay đổi đối với nút quy trình 3nm của mình theo AnandTech. Những con chip đầu tiên của Samsung Foundry được sản xuất bằng quy trình 3nm, 3GAE (3nm Gate-All-Around Early), được cho là sẽ được sản xuất với số lượng lớn muộn hơn một năm so với bình thường. Nó cũng bị xóa khỏi lộ trình của Samsung cho thấy rằng 3GAE có thể chỉ được sản xuất để sử dụng nội bộ.

 

Một đại diện của Samsung cho biết: “Về quy trình 3GAE, chúng tôi đã thảo luận với khách hàng và dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt 3GAE vào năm 2022”. Người kế nhiệm của 3GAE, node 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) vẫn được liệt kê trong lộ trình với việc sản xuất số lượng lớn dự kiến sẽ bắt đầu vào năm 2023. Lộ trình nói trên đã được công bố tại Foundry Forum 2021 ở Trung Quốc. Samsung Foundry đã giới thiệu lộ trình công nghệ cập nhật của mình, sau đó được đăng lại trên Baidu và Weibo.

 

Lộ trình nói trên đã được công bố tại Diễn đàn Sáng lập 2021 ở Trung Quốc. Samsung Foundry đã giới thiệu lộ trình công nghệ cập nhật của mình, sau đó được đăng lại trên Baidu và Weibo.

 

Đối với các chip sử dụng kiến trúc bóng bán dẫn FinFET cũ hơn, Samsung đã thêm 5LPP (5 NM) và 4LPP (4NM) vào lộ trình của mình với sản xuất số lượng lớn được đặt lần lượt cho năm 2021 và 2022.

 

Khi Samsung công bố về 3GAE và 3GAP vào tháng 5 năm 2019, họ đã thông báo rằng nó sẽ mang lại hiệu suất tăng 35%, giảm 50% mức tiêu thụ điện năng so với chip 7NM.

 

Như vậy, hiện tại chip 3NM của Samsung nếu được trang bị sớm sẽ giúp smartphone Galaxy có thể đi trước cả iPhone 14

Đối với các chip sử dụng kiến trúc bóng bán dẫn FinFET cũ hơn, Samsung đã thêm 5LPP và 4LPP vào lộ trình của mình với sản xuất số lượng lớn được đặt lần lượt cho năm 2021 và 2022. Khi Samsung công bố các node 3GAE và 3GAP vào tháng 5.2019, họ đã thông báo nó sẽ mang lại hiệu suất tăng 35%, giảm 50% mức tiêu thụ điện năng so với 7LPP hiện là node quy trình thế hệ trước.

 

Đồng thời vào năm 2019, việc sản xuất số lượng lớn sử dụng 3GAA (kiến trúc bóng bán dẫn Gate-All-Around) đã được công bố bắt đầu vào cuối năm 2021. Với ngày ra mắt mới vào năm 2022 cho quy trình Gate-All-Around Early 3nm, người ta có thể kết luận rằng đã có sự chậm trễ một chút từ phía Samsung hoặc một tính toán sai lầm. Dù bằng cách nào, nó không được coi là một vấn đề lớn vì các node Early của Sammy không được các nhà sản xuất sử dụng ở mức độ lớn.

Chỉ vài ngày trước, Samsung Foundry đã khai thác một con chip 3nm sử dụng kiến trúc bóng bán dẫn Gate-All-Around (GAA). Khai thác một con chip là hành động cuối cùng của chu trình thiết kế của nó, dẫn đến một trong hai kết quả: thiết kế chip hoạt động hoặc không. Trong trường hợp sau, có thể yêu cầu một sửa chữa nhỏ hoặc đại tu hoàn toàn thiết kế.

 

Với sự xuất hiện của chip 3nm vào năm sau, Samsung sẽ xem đó là vũ khí để chống lại iPhone 14, được cho là đi kèm chip 3nm, sản xuất bởi TSMC (Đài Loan). Trong khi đó, loạt iPhone 13 ra mắt năm nay dự kiến đi kèm chip A15 Bionic được sản xuất trên quy trình 5nm, còn Samsung có thể sẽ sản xuất chip Exynos dựa trên quy trình 4nm dành cho loạt Galaxy S năm sau. Quy trình 4nm cũng dự kiến được dùng để sản xuất chip Snapdragon 895 cao cấp sắp tới của Qualcomm.