Với chủ đề “Tái tạo lại bộ nhớ”, khoảng 600 người, bao gồm các kỹ thuật viên, nhà phân tích và quan chức trong ngành, đã tham dự "Ngày công nghệ bộ nhớ" năm nay để tìm hiểu các công nghệ của Samsung trong các lĩnh vực như đám mây, thiết bị biên và ô tô.
Gã khổng lồ công nghệ đã tiết lộ các giải pháp bộ nhớ mới nhất của mình, bao gồm bộ nhớ HBM3e thế hệ thứ năm mới có tên Shinebolt; Các giải pháp LPDDR5X CAMM2 dựa trên gói LPDDR và AutoSSD có thể tháo rời có thể được sử dụng thông qua ảo hóa lưu trữ.
Shinebolt cung cấp hiệu suất cao lên tới 9,8 gigabit mỗi giây cho mỗi chân đầu vào và đầu ra dữ liệu, có thể xử lý hơn 1,2 terabyte mỗi giây. Samsung triển khai tính năng xếp chồng cấp cao bằng cách tối ưu hóa công nghệ màng không dẫn điện bằng cách lấp đầy khoảng trống giữa các chip.
Hình ảnh DRAM HBM3E của Samsung Electronics.
LPDDR5X CAMM2 7,5Gbps đầu tiên trong ngành của Samsung cũng thu hút sự chú ý của người tham dự tại sự kiện hôm thứ Sáu. Con chip này có nguy cơ trở thành nhân tố thay đổi cuộc chơi trên thị trường DRAM cho PC và máy tính xách tay thế hệ tiếp theo.
Để đạt được vị trí số 1 trên thị trường bộ nhớ vào năm 2025, hãng cũng giới thiệu AutoSSD có thể tháo rời, hỗ trợ tốc độ đọc liên tục lên tới 6.500 megabyte mỗi giây và cung cấp dung lượng 4TB.
“Kỷ nguyên của các mô hình AI siêu quy mô là thời điểm mà các cơ hội đổi mới công nghệ và tăng trưởng gặp nhau. Đây sẽ là thời điểm đầy thách thức cũng như những bước nhảy vọt lớn hơn đối với các công ty trong ngành”, Lee Jung-bae, phó chủ tịch điều hành kiêm người đứng đầu bộ phận bộ nhớ Hoa Kỳ tại Samsung Electronics cho biết.
Ông cho biết: “Chúng tôi sẽ tiếp tục dẫn đầu thị trường bộ nhớ bằng cách cung cấp các giải pháp mở rộng vượt qua các giới hạn thông qua trí tưởng tượng vô hạn và những thách thức táo bạo, bên cạnh sự hợp tác chặt chẽ với khách hàng và đối tác”. kỷ nguyên của các mô hình AI siêu quy mô.
Samsung, bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM 12 nano vào tháng 5, đã thông báo rằng họ đang phát triển DRAM 11 nano thế hệ tiếp theo để đạt được mức độ tích hợp cao nhất trong ngành. Công ty cũng đang chuẩn bị giới thiệu cấu trúc 3D mới trong DRAM từ 10 nanomet trở xuống và có kế hoạch mở rộng công suất lên hơn 100 gigabit trên một con chip thông qua cấu trúc này.
Gã khổng lồ công nghệ cũng thông báo rằng họ đã phát triển số lớp cao nhất có thể được triển khai với cấu trúc ngăn xếp kép trong NAND dọc thế hệ thứ chín, hay còn gọi là V-NAND. V-NAND là tên của Samsung dành cho 3D NAND.
Theo công ty, họ đang nỗ lực giảm diện tích phẳng và chiều cao của các ô để giảm thể tích và tăng số lượng lớp thông qua một công nghệ chủ chốt gọi là khắc lỗ kênh.
Samsung cho biết việc tham gia tích cực vào việc khắc phục khủng hoảng khí hậu toàn cầu thông qua công nghệ giúp công ty trở nên bền vững thông qua hợp tác với các bên liên quan, bao gồm khách hàng và đối tác, trong toàn bộ chuỗi cung ứng chất bán dẫn.