Việc xây dựng các nhà máy FAB được bắt đầu từ năm 2022 trên nhiều nhà máy ban đầu dự kiến bắt đầu hoạt động vào năm 2024, nhưng sự suy thoái của thị trường bắt đầu vào năm đó khiến ngày đi vào hoạt động của một số nhà máy bị đẩy sang năm 2025, cùng với nhiều nhà máy khác đã được lên kế hoạch mở ra trong năm đó.
Kết quả được dự đoán sẽ là khối lượng công suất kỷ lục được đưa vào hoạt động vào năm 2025.
Công suất sản xuất các tấm chip wafer toàn cầu. Nguồn: Knometa Research.
Báo cáo cho thấy công suất 23,1 triệu tấm wafer tương đương 200mm mỗi năm dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất vào năm 2025, vượt qua mức cao trước đó là 18,5 triệu tấm wafer vào năm 2021.
Khi biểu thị bằng tương đương wafer 300mm, sẽ có công suất 10,3 triệu wafer mỗi năm được đưa vào hoạt động vào năm 2025. Xét về tốc độ tăng trưởng, đây là mức tăng 8% so với mức công suất năm 2024.
Mười bảy dây chuyền sản xuất vi mạch mới dự kiến sẽ bắt đầu hoạt động vào năm 2025, bao gồm:
- HH Grace – Vô Tích, Trung Quốc – tấm wafer 300mm cho dịch vụ đúc
- Intel – New Albany, Ohio, Hoa Kỳ – tấm wafer 300mm cho adv. logic và xưởng đúc
- JS Foundry – Ojiya, Niigata, Nhật Bản – tấm wafer 200mm cho IC (và rời rạc)
- Kioxia – Kitakami, Iwate, Nhật Bản – tấm wafer 300mm cho 3D NAND
- Micron – Boise, Idaho, Hoa Kỳ – tấm wafer 300mm cho DRAM
- Pengxin Micro – Thâm Quyến, Trung Quốc – tấm wafer 300mm cho xưởng đúc
- Samsung – Pyeongtaek, Hàn Quốc (P4 fab) – Tấm wafer 300mm cho 3D NAND và DRAM
- SK Hynix – Đại Liên, Trung Quốc (bản mở rộng Fab 68) – tấm bán dẫn 300mm cho 3D NAND
- SMIC – Thượng Hải, Trung Quốc (SN2 fab) – Tấm wafer 300mm cho xưởng đúc
- TI – Sherman, Texas, USA – Tấm wafer 300mm cho tín hiệu analog và tín hiệu hỗn hợp
- TSMC – Đài Nam, Đài Loan (Fab 18, Giai đoạn 8) – Tấm wafer 300mm cho xưởng đúc
- UMC – Singapore (Fab 12i, Giai đoạn 3) – Tấm wafer 300mm cho xưởng đúc