Giám đốc điều hành TSMC C C Wei cho biết: “Chúng ta đang sống trong một thế giới kỹ thuật số, siêu tăng áp, thay đổi nhanh chóng, nơi nhu cầu về sức mạnh tính toán và hiệu quả năng lượng đang tăng nhanh hơn bao giờ hết, tạo ra những cơ hội và thách thức chưa từng có cho ngành công nghiệp bán dẫn” và “những đổi mới thể hiện sự dẫn đầu về công nghệ của TSMC và cam kết của chúng tôi trong việc hỗ trợ khách hàng của mình trong suốt giai đoạn chuyển đổi và tăng trưởng thú vị này.”

 

FINFLEX cho N3 và N3E - là Quy trình N3 của TSMC, được thiết lập để đi vào sản xuất số lượng lớn vào cuối năm 2022, sẽ có FINFLEX, một cải tiến kiến ​​trúc mang lại sự linh hoạt cho các nhà thiết kế. Nó cung cấp các lựa chọn về các ô tiêu chuẩn khác nhau với cấu hình vây 3-2 cho hiệu suất cực cao, cấu hình vây 2-1 cho hiệu suất điện năng và mật độ bóng bán dẫn tốt nhất, và cấu hình vây 2-2 cung cấp sự cân bằng giữa hai loại cho Hiệu suất hiệu quả.

Với kiến ​​trúc FINFLEX của TSMC, khách hàng có thể tạo các thiết kế SoC được điều chỉnh chính xác theo nhu cầu của họ với các khối chức năng triển khai cấu hình vây được tối ưu hóa tốt nhất cho mục tiêu về hiệu suất, công suất và diện tích mong muốn, đồng thời được tích hợp trên cùng một chip. Để biết thêm thông tin về FINFLEX, vui lòng truy cập N3.TSMC.COM.

 

Công nghệ N2 - Công nghệ N2 của TSMC giúp cải thiện tốc độ 10-15% ở cùng mức công suất hoặc giảm 25-30% điện năng ở cùng tốc độ so với N3. N2 sẽ có kiến ​​trúc bóng bán dẫn nanô để cung cấp cải tiến toàn bộ nút về hiệu suất và hiệu suất năng lượng để cho phép các đổi mới sản phẩm thế hệ tiếp theo từ khách hàng TSMC. Nền tảng công nghệ N2 bao gồm một biến thể hiệu suất cao ngoài phiên bản cơ sở cho máy tính di động, cũng như các giải pháp tích hợp chiplet toàn diện. N2 dự kiến ​​bắt đầu được sản xuất vào năm 2025.

 

Mở rộng nền tảng Ultra-Low Power - Để tuân theo quy trình N12e 2020, TSMC đang phát triển N6e để cung cấp sức mạnh tính toán và hiệu quả năng lượng theo yêu cầu của các thiết bị AI và IoT tiên tiến. N6e sẽ dựa trên quy trình 7nm của TSMC và dự kiến ​​sẽ có mật độ logic lớn hơn gấp ba lần so với N12e. Nó sẽ đóng vai trò là một phần của nền tảng Công suất cực thấp của TSMC, một danh mục toàn diện gồm các giải pháp logic, RF, tương tự, bộ nhớ không linh hoạt được nhúng và các giải pháp vi mạch quản lý năng lượng nhằm vào các ứng dụng trong AI tiên tiến và Internet of Things.

 

Giải pháp xếp chồng silicon TSMC 3DF Fabric 3D - Các ứng dụng của khách hàng TSMC của giải pháp xếp chồng chip TSMC-SoIC bao gồm: