SK hynix đã xuất xưởng các mẫu mô-đun bộ nhớ tự hào với tốc độ truyền dữ liệu lên đến 6.400 megabit / giây và mật độ bộ nhớ 32 gigabyte vào đầu tháng này, theo công ty, mà không nêu rõ ngày tháng. Nó bổ sung việc tích hợp trình điều khiển đồng hồ trong các mẫu mới đã cải thiện tính toàn vẹn của tín hiệu để đạt được tốc độ dữ liệu chưa từng có.

 

Các sản phẩm dành cho máy tính cá nhân - mô-đun bộ nhớ nội tuyến kép không bộ đệm và mô-đun bộ nhớ nội tuyến kép có đường viền nhỏ - đã được lấy mẫu cho một nhà sản xuất chip hệ thống chưa được tiết lộ và đang trong quá trình thử nghiệm.

 

Park Myoung-soo, phó chủ tịch tiếp thị DRAM của SK hynix cho biết: “Chúng tôi đang dự đoán một sự thay đổi rộng rãi hơn sang tiêu chuẩn DDR5 vào đầu năm tới.

 

SK hynix đã dẫn đầu việc chuyển đổi sang tiêu chuẩn chip nhớ thế hệ tiếp theo trong một ngành công nghiệp mà tiêu chuẩn DDR4 đang chiếm ưu thế lớn. Công ty đã công bố các sản phẩm bộ nhớ DDR5 16 gigabyte đầu tiên trên thế giới vào năm 2018 và các mẫu DDR5 24 gigabyte vào năm 2021. Ngoài ra, vào tháng 8, SK hynix đã phát triển một sản phẩm chuẩn DDR5 có thể tương thích với giao diện CXL.

 

Các sản phẩm bộ nhớ tiêu chuẩn DDR5 dự kiến ​​sẽ chiếm 20% thị phần trên thị trường DRAM vào năm tới và 40% thị phần vào năm 2025. Ứng dụng rộng rãi hơn của công nghệ in thạch bản tiên tiến, chẳng hạn như công nghệ cực tím, sẽ giúp nhà sản xuất chip vượt qua các rào cản công nghệ và đạt được sản xuất hàng loạt các sản phẩm tiêu chuẩn DDR5 trong quy trình 10 nanomet, theo SK hynix.