Ra mắt là bước cuối cùng của quá trình thiết kế chip và là nơi công ty gửi bản thiết kế đến xưởng đúc chip, đối tác sẽ sản xuất chip.
Sau khi ra mắt vào cuối năm, mẫu HBM4 sẽ ra mắt vào đầu năm sau và bắt đầu sản xuất hàng loạt vào cuối năm 2025.
Nguyên mẫu chip thường được tạo ra sau ba đến bốn tháng sau khi ra mắt. Samsung dự kiến sẽ thay đổi thiết kế và cải thiện các bước quy trình sau khi xem xét mẫu.
SK Hynix cũng đang có kế hoạch bắt đầu sản xuất HBM4 vào cuối năm sau.
Cả Samsung và SK Hynix đều có kế hoạch sử dụng xưởng đúc cho khối logic trên chip thay vì sử dụng quy trình DRAM của riêng họ như họ đã làm trên các chip HBM thế hệ trước.
Samsung sẽ sử dụng quy trình xưởng đúc 4nm của riêng mình cho khối logic trong khi SK Hynix sẽ sử dụng quy trình 5nm và 12nm của TSMC cho sản phẩm của họ.
Samsung đang có kế hoạch sử dụng DRAM Gen 6 10nm (1c) làm lõi bộ nhớ của HBM, trong khi SK Hynix đang cân nhắc xem có nên sử dụng DRAM 1c như Samsung hay sử dụng DRAM Gen 5 10nm (1b).
SK Hynix ban đầu có kế hoạch sử dụng DRAM 1b nhưng vì Samsung đang sử dụng 1c nên họ đang cân nhắc điều tương tự, các nguồn tin cho biết.
HBM4 của cặp đôi này dự kiến sẽ được sử dụng trong các bộ tăng tốc AI trong tương lai của Nvidia và AMD.