DRAM DDR5 công suất thấp 16 GB, dựa trên công nghệ xử lý 10 lớp cỡ nanomet (1y) thế hệ thứ hai của Samsung, cung cấp tốc độ truyền dữ liệu 5.500 megabit/giây, nhanh hơn khoảng 1,3 lần so với bộ nhớ di động LPDDR4X trước đó. Công ty cũng cung cấp một khoản tiết kiệm năng lượng hơn 20 phần trăm trong khi cung cấp gấp đôi công suất.
Sự tiến bộ sẽ tăng cường 5G và các tính năng trí tuệ nhân tạo, bao gồm chơi game giàu đồ họa và chụp ảnh thông minh trên điện thoại thông minh cao cấp, theo công ty.
Ngoài sản phẩm 16 GB, công ty có kế hoạch sản xuất hàng loạt các sản phẩm LPDDR5 16 gigabit dựa trên công nghệ xử lý lớp 10 nanomet (1z) thế hệ thứ ba trong nửa cuối năm nay, phù hợp với sự phát triển của Chipset 6.400 megabit mỗi giây.