Samsung Electronics đang có động thái nâng cấp nhà máy của mình tại Tây An, Trung Quốc lên quy trình flash NAND 286 lớp (V9) để chống lại sự suy thoái thị trường hiện tại và chống lại sự cạnh tranh ngày càng tăng từ các công ty bán dẫn Trung Quốc như YMTC, công ty gần đây đã bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND 294 lớp.
Từ năm 2023, Samsung đã thúc đẩy quá trình chuyển đổi quy trình NAND 128 lớp (V6) chính của mình tại nhà máy ở Tây An sang dây chuyền 236 lớp (V8). Tuy nhiên, công ty đã quyết định tiến thêm một bước nữa bằng cách lắp đặt dây chuyền V9. Công ty có kế hoạch giới thiệu các thiết bị mới cần thiết cho quy trình này trong nửa đầu năm và đặt mục tiêu thiết lập một dây chuyền sản xuất có công suất từ 2.000 đến 5.000 tấm wafer mỗi tháng vào nửa cuối năm.
Quá trình chuyển đổi này là một phần trong chiến lược rộng lớn hơn của Samsung nhằm duy trì vị thế dẫn đầu về công nghệ và đảm bảo khả năng cạnh tranh lâu dài của sản phẩm.
Nhà máy ở Tây An là cơ sở sản xuất bộ nhớ duy nhất ở nước ngoài của Samsung, đóng vai trò quan trọng đối với chuỗi cung ứng toàn cầu của công ty, sản xuất khoảng 40% tổng sản lượng NAND của công ty. Việc nâng cấp lên quy trình NAND 286 lớp, còn được gọi là thế hệ thứ 9 (V9), dự kiến sẽ nâng cao đáng kể năng lực sản xuất của nhà máy.
Quyết định của chính quyền Biden cấp cho Samsung quy chế "Người dùng cuối đã xác minh (VEU)" vào năm 2023 là quyết định then chốt. Quy chế này cho phép Samsung sản xuất NAND với hơn 200 lớp tại Trung Quốc, tạo ra một số sự linh hoạt trong bối cảnh các lệnh trừng phạt của Hoa Kỳ hạn chế xuất khẩu thiết bị sản xuất chất bán dẫn tiên tiến sang Trung Quốc. Sự phát triển này rất quan trọng vì nó cho phép Samsung tiếp tục các quy trình sản xuất tiên tiến của mình tại Trung Quốc, bất chấp căng thẳng địa chính trị.
Một người trong ngành bình luận: "Trong khi mở rộng các quy trình NAND tiên tiến trong nước, công ty cũng đang nâng cấp các quy trình NAND của mình tại Trung Quốc". Cách tiếp cận kép này nhấn mạnh cam kết của Samsung trong việc duy trì lợi thế cạnh tranh của mình cả trong và ngoài nước. Công ty cũng đã nghiên cứu ứng dụng NAND 400 lớp (V10) vào dây chuyền sản xuất hàng loạt tại Nhà máy Pyeongtaek 1 (P1) kể từ nửa cuối năm ngoái, với khả năng sản xuất hàng loạt ban đầu vào nửa cuối năm nay.
Tháng trước, công ty đã công bố kết quả kinh doanh quý IV của năm trước, nêu rõ: "Chúng tôi có kế hoạch đẩy nhanh quá trình chuyển đổi sang NAND 236 lớp và 286 lớp để đảm bảo khả năng cạnh tranh lâu dài của sản phẩm".
Bất chấp những tiến bộ này, Samsung dự kiến sẽ sản xuất 420.000 đơn vị NAND mỗi tháng trong quý đầu tiên của năm nay, đánh dấu mức giảm 25% so với quý trước. Mức giảm này phản ánh sự suy giảm hiện tại về nhu cầu từ thị trường di động và PC, chịu ảnh hưởng của các yếu tố kinh tế như giá cả tăng và lãi suất. Tuy nhiên, nhu cầu ngày càng tăng từ các lĩnh vực như trung tâm dữ liệu AI, điều này đang thúc đẩy các công ty như Samsung tập trung vào sản xuất NAND hiệu suất cao, dung lượng lớn.