Samsung đã phác thảo tầm nhìn của mình về kiến trúc 3D cho các giải pháp bộ nhớ tương lai trong bài phát biểu quan trọng của các giám đốc điều hành mảng kinh doanh bộ nhớ và trưng bày các mô hình của hai cấu trúc mới này tại gian hàng của mình.
ZHBM là một kiến trúc nhằm mục đích cải thiện tốc độ xử lý dữ liệu của các bộ tăng tốc trí tuệ nhân tạo (AI) bằng cách rút ngắn khoảng cách vật lý giữa các bộ xử lý logic — bộ xử lý trung tâm, bộ xử lý đồ họa và các bộ xử lý khác — và bộ nhớ băng thông cao (HBM).
Trong khi HBM truyền thống được đặt cạnh các chip logic, zHBM được xếp chồng trực tiếp lên trên bộ xử lý. Bằng cách rút ngắn khoảng cách dữ liệu phải truyền đi, kiến trúc mới này mang lại băng thông cao hơn và hiệu quả năng lượng được cải thiện.
Để hỗ trợ kiến trúc này, Samsung đã áp dụng công nghệ ghép nối đồng lai, ghép nối đa lớp wafer và các công nghệ tiên tiến khác, giúp tăng tốc độ truyền tín hiệu đồng thời giảm điện trở nhiệt.
Samsung cho biết bộ tăng tốc AI sử dụng zHBM có thể mang lại hiệu năng cao gấp tám lần so với bộ tăng tốc sử dụng HBM5. Khoảng cách ngắn hơn giữa bộ xử lý và bộ nhớ cũng giúp cải thiện hiệu quả năng lượng lên đến gấp ba lần so với HBM5 và giảm điện trở nhiệt hơn một nửa.
Với việc các nhà sản xuất bộ nhớ lớn hiện đang sản xuất hàng loạt HBM4 và tiến hành thử nghiệm mẫu HBM4E thế hệ tiếp theo, zHBM đại diện cho một kiến trúc dài hạn hơn được hình dung cho các giải pháp bộ nhớ vượt ra ngoài lộ trình HBM hiện tại.
ZHBM cũng hỗ trợ các thiết kế tùy chỉnh của khách hàng, cho phép tích hợp các khối sở hữu trí tuệ tùy chỉnh vào lớp trung gian giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI để mở rộng dung lượng bộ nhớ và nâng cao hiệu năng của bộ tăng tốc.
Phó Chủ tịch điều hành kiêm Giám đốc sản phẩm Flash của Samsung Electronics, ông Lee Jin-yub, đã có bài phát biểu quan trọng tại hội nghị Tương lai của Bộ nhớ và Lưu trữ 2026 ở California, hôm thứ Ba (4/8/2026).
Công ty cũng giới thiệu zNAND-O, kiến trúc NAND hiệu suất cao thế hệ tiếp theo được xây dựng trên công nghệ V-NAND và có sẵn ở các phiên bản bốn và tám lớp. Bằng cách kết hợp hiệu quả không gian cao, hiệu suất được cải thiện và độ trễ thấp, zNAND-O được tối ưu hóa cho môi trường AI biên hỗ trợ các ứng dụng AI sử dụng nhiều dữ liệu, thời gian thực.
Cũng tại triển lãm, công ty đã giới thiệu V10 BV-NAND với kiến trúc Bonding V-NAND mới. Với hơn 400 lớp, sản phẩm mới mang lại hiệu suất và hiệu suất sử dụng năng lượng cao hơn đồng thời tăng đáng kể mật độ lưu trữ.