Công ty Điện tử Samsung đã phát triển chip bộ nhớ DRAM DDR5 16 gigabit đầu tiên trong ngành sử dụng công nghệ xử lý 12 nanomet như một phần trong nỗ lực đạt được vị trí dẫn đầu vượt trội so với các đối thủ cạnh tranh trong lĩnh vực kinh doanh chip bộ nhớ, theo công ty hôm thứ Tư.
Samsung đã công bố việc phát triển những con chip nhỏ hơn, nhanh hơn và tiêu thụ ít năng lượng hơn, đồng thời cho biết thêm rằng họ cũng đánh giá khả năng tương thích của sản phẩm với công ty sản xuất chip AMD của Hoa Kỳ.
Samsung cũng cho biết họ sẽ sản xuất hàng loạt chip bộ nhớ mới nhất vào năm tới, nhắm đến thị trường trung tâm dữ liệu, trí tuệ nhân tạo (AI) và dịch vụ điện toán thế hệ tiếp theo.
Lee Joo-young, phó chủ tịch điều hành Sản phẩm & Công nghệ DRAM của Samsung, cho biết: “DRAM 12nm của chúng tôi sẽ là yếu tố quyết định chính trong việc thúc đẩy việc áp dụng DRAM DDR5 trên toàn thị trường. "Với hiệu suất vượt trội và hiệu quả năng lượng, chúng tôi hy vọng DRAM mới của mình sẽ đóng vai trò là nền tảng cho các hoạt động bền vững hơn trong các lĩnh vực như điện toán thế hệ tiếp theo, trung tâm dữ liệu và hệ thống do AI điều khiển."
Samsung cho biết thêm rằng chip bộ nhớ mới nhất được phát triển bằng cách sử dụng kỹ thuật in khắc cực tím (EUV) nhiều lớp để có mật độ khuôn cao nhất trong ngành và cho phép nhà sản xuất chip đạt được mức tăng 20% về năng suất tấm bán dẫn.
DRAM 12 nanomet có tốc độ lên tới 7,2 gigabit/giây, có thể xử lý hai bộ phim độ nét cực cao với dung lượng 30 gigabyte tương ứng chỉ trong một giây. Sản phẩm cũng cải thiện mức tiêu thụ điện năng lên 23% so với thế hệ trước.
Samsung hy vọng nó có thể giữ được vị trí dẫn đầu rất lớn so với các đối thủ cạnh tranh. Samsung đã dẫn đầu thị trường DRAM toàn cầu với thị phần hơn 40%, tiếp theo là SK hynix với khoảng 30% thị phần và Micron với khoảng 25%.