Bất chấp sự bất ổn bên ngoài ngày càng gia tăng, Samsung Electronics đã thực hiện khoản đầu tư lớn nhất từ trước đến nay vào nghiên cứu và phát triển (R&D) trong quý đầu tiên nhằm tăng cường khả năng cạnh tranh trong tương lai. Công ty dự kiến sẽ tập trung vào việc phát triển các động lực tăng trưởng thế hệ tiếp theo như bộ nhớ băng thông cao (HBM) và công nghệ đúc tiên tiến dưới 2 nanomet (nm), hay một phần tỷ mét.
Vào ngày 30 tháng 4, Samsung Electronics đã công bố rằng họ đã chi 9 nghìn tỷ won (khoảng 6,31 tỷ đô la) cho R&D trong quý đầu tiên của năm nay. Con số này đánh dấu mức tăng 15 phần trăm so với mức 7,8 nghìn tỷ won đã đầu tư trong cùng kỳ năm ngoái.
Tỷ trọng đầu tư R&D trong doanh số cũng tăng từ 10,9 phần trăm lên 11,4 phần trăm. Vì các đánh giá từ cả bên trong và bên ngoài công ty cho thấy khả năng cạnh tranh của công ty trong lĩnh vực bán dẫn, từ DRAM, HBM, NAND và đúc, đã suy yếu, động thái này được coi là một nỗ lực rõ ràng nhằm khôi phục lại lợi thế công nghệ của công ty.
Samsung Electronics cũng đã đầu tư 12 nghìn tỷ won vào các cơ sở trong quý đầu tiên, bao gồm 10,9 nghìn tỷ won cho bộ phận Giải pháp thiết bị (DS) và 500 tỷ won cho phân khúc màn hình. Mặc dù con số này giảm 5,8 nghìn tỷ won so với mức 17,8 nghìn tỷ won của quý trước, nhưng khoản đầu tư vào cơ sở của bộ phận DS đã tăng 1,2 nghìn tỷ won so với cùng kỳ năm trước từ mức 9,7 nghìn tỷ won.
Một quan chức công ty giải thích, "Chúng tôi đang tiếp tục đầu tư vào các công nghệ tương lai và các quy trình tiên tiến trong lĩnh vực kinh doanh bộ nhớ".