Theo công ty, ông Lee đã đến thăm công trường xây dựng NRD-K, một cụm nghiên cứu và phát triển rộng 109.000 mét vuông mà Samsung đang xây dựng tại quận Giheung, thành phố Yongin, tỉnh Gyeonggi, với tổng vốn đầu tư 20 nghìn tỷ won (13,5 tỷ USD) đến năm 2030.
NRD-K bắt đầu lắp đặt các thiết bị của mình vào tháng 11 năm ngoái, bao gồm thiết bị quang khắc cực tím độ phân giải cao để phát triển chất bán dẫn bộ nhớ thế hệ tiếp theo, các công cụ lắng đọng vật liệu mới và cơ sở hạ tầng liên kết wafer được thiết kế để tạo ra các cấu trúc kết nối hai wafer với nhau.
Trong chuyến thăm, ông Lee đã được nghe báo cáo về những cập nhật mới nhất trong các công nghệ thế hệ tiếp theo dành cho bộ nhớ, xưởng đúc và chất bán dẫn hệ thống, đồng thời tham quan các cơ sở nghiên cứu và phát triển mới được lắp đặt tại cụm công nghiệp này.
Ông cũng đã đến thăm Khu phức hợp Hwaseong của bộ phận tại tỉnh Gyeonggi, nơi ông đã xem xét các hệ thống tự động hóa sản xuất được hỗ trợ bởi công nghệ bản sao kỹ thuật số và robot, cũng như việc sử dụng công nghệ trí tuệ nhân tạo (AI) trong toàn bộ hoạt động của khu phức hợp.
Trong chuyến thăm các địa điểm, ông Lee đã có cuộc gặp với Phó Chủ tịch Samsung Electronics kiêm Giám đốc Bộ phận DS Jun Young-hyun, Giám đốc Công nghệ Bộ phận DS Song Jai-hyuk và các lãnh đạo khác để thảo luận về những phát triển mới nhất trong ngành công nghiệp bán dẫn.
Trong chuyến tham quan, ông Lee kêu gọi công ty “khôi phục năng lực cạnh tranh công nghệ cơ bản thông qua đổi mới và đầu tư táo bạo”, theo Samsung Electronics.
Ông cũng đã có cuộc gặp riêng với các nhân viên trong bộ phận phát triển, sản xuất và kiểm soát chất lượng, lắng nghe phản hồi từ các nhân viên tuyến đầu đã đóng góp vào việc thương mại hóa các sản phẩm bán dẫn tiên tiến, bao gồm bộ nhớ băng thông cao (HBM), DRAM D1c và bộ nhớ flash NAND V10.
Chuyến thăm của ông Lee được xem là một động thái nhằm khích lệ các nhân viên và nhà nghiên cứu của bộ phận, những người đã cho thấy sự cải thiện đáng kể về hiệu suất trong nửa cuối năm nay.
Trong quý đầu tiên của năm, Samsung Electronic đã mất vị trí dẫn đầu trên thị trường DRAM toàn cầu vào tay đối thủ SK hynix, do chip HBM dành cho bộ tăng tốc trí tuệ nhân tạo (AI) của hãng bị cạnh tranh vượt mặt.
Tuy nhiên, thị phần HBM của công ty đã nhanh chóng phục hồi trong quý 3 và quý 4, khi sản lượng chip HBM3E 12 lớp ổn định. Bộ phận DS đã đạt doanh thu bán bộ nhớ cao kỷ lục trong quý 3 năm nay, nhờ nhu cầu mạnh mẽ đối với HBM3E.
Nhờ nhu cầu mạnh mẽ của Google đối với bộ xử lý Tensor (TPU), các nhà phân tích dự đoán lợi nhuận hoạt động của bộ phận này sẽ đạt 15 nghìn tỷ won trong quý 4, gấp bốn lần so với cùng kỳ năm ngoái.