SK hynix, nhà sản xuất chip nhớ lớn thứ hai thế giới, cho biết hôm thứ Năm (29/8) rằng họ đã phát triển chip DDR5 16 gigabyte đầu tiên trong ngành bằng cách sử dụng nút 1c của mình, thế hệ thứ sáu của công nghệ quy trình 10 nanomet.
Theo SK hynix, thành công này đánh dấu sự khởi đầu của quá trình mở rộng cực độ đến mức gần 10 nanomet trong công nghệ quy trình bộ nhớ.
SK hynix đã trở thành công ty đầu tiên trong ngành vượt qua được những hạn chế về công nghệ bằng cách nâng cao mức độ hoàn thiện trong thiết kế, nhờ vào công nghệ hàng đầu trong ngành dành cho thế hệ 1b, thế hệ thứ năm của quy trình 10nm.
Để giảm thiểu các lỗi tiềm ẩn phát sinh từ quy trình cải tiến quy trình và chuyển giao những lợi thế của 1b - được ca ngợi rộng rãi là DRAM có hiệu suất tốt nhất - một cách hiệu quả nhất, công ty đã mở rộng nền tảng của DRAM 1b để phát triển 1c.
Con chip mới này có khả năng cạnh tranh về chi phí được cải thiện so với thế hệ trước và có năng suất được nâng cao hơn 30 phần trăm thông qua cải tiến công nghệ trong thiết kế.
Tốc độ hoạt động của sản phẩm, dự kiến sẽ được áp dụng cho các trung tâm dữ liệu hiệu suất cao, đã được cải thiện 11%. Với hiệu suất năng lượng cũng được cải thiện hơn 9%, SK hynix kỳ vọng việc áp dụng chip sẽ giúp các trung tâm dữ liệu giảm chi phí điện lên đến 30 phần trăm, vì sự tiến bộ của kỷ nguyên trí tuệ nhân tạo đang dẫn đến việc tăng mức tiêu thụ điện năng.
Nhà sản xuất chip nhớ cho biết sản phẩm mới sẽ sẵn sàng sản xuất hàng loạt trong năm nay để bắt đầu giao hàng số lượng lớn vào năm tới.
"Chúng tôi cam kết cung cấp các giá trị khác biệt cho khách hàng bằng cách áp dụng công nghệ 1c -- được trang bị hiệu suất tốt nhất và khả năng cạnh tranh về chi phí -- vào các sản phẩm thế hệ tiếp theo chính của chúng tôi", Kim Jong-hwan, giám đốc phát triển DRAM của SK hynix cho biết. “Chúng tôi sẽ tiếp tục nỗ lực để duy trì vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực DRAM và vị thế là nhà cung cấp giải pháp bộ nhớ AI đáng tin cậy nhất", ông nói thêm.
Trong khi SK hynix đã phát triển chip DRAM thế hệ thứ sáu đầu tiên trên thế giới, cuộc cạnh tranh về quy trình siêu mịn để giành quyền bá chủ toàn cầu dường như đang nóng lên.
Samsung Electronics, nhà sản xuất chip nhớ số 1 thế giới, cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt thế hệ thứ sáu của quy trình 10nm vào cuối năm nay. Thông báo được đưa ra tại MemCon được tổ chức tại California vào tháng 3. Thông báo này diễn ra trước kế hoạch sản xuất hàng loạt do SK hynix công bố vào thứ năm.
Theo các nguồn tin trong ngành, Samsung cũng đã thành lập một nhóm để đẩy nhanh quá trình phát triển thế hệ thứ bảy của công nghệ sản xuất chip 10nm.
Micron Technology có trụ sở tại Hoa Kỳ dường như đang tụt hậu so với hai nhà sản xuất chip nhớ Hàn Quốc -- Samsung Electronics và SK hynix -- trong cuộc đua giành thế hệ thứ sáu và thứ bảy của công nghệ quy trình 10nm, mặc dù đây là công ty đầu tiên phát triển thế hệ thứ tư của lớp 10nm.
Micron sản xuất DRAM mà không sử dụng thiết bị cực tím lên đến quy trình 1b. Ngược lại, Samsung đã đảm bảo công nghệ sản xuất DRAM sử dụng EUV và có kế hoạch thu hẹp khoảng cách bằng chiến lược bắt kịp, sử dụng EUV bắt đầu từ quy trình 1c.
Trong khi đó, ngành công nghiệp bán dẫn dự kiến sự cạnh tranh khốc liệt giữa các nhà sản xuất chip toàn cầu sẽ tiếp tục trong một thời gian, vì quá trình xử lý siêu mịn vẫn là một chỉ số quan trọng về năng lực công nghệ.
Tuy nhiên, với những dự đoán cho thấy những tiến bộ trong vi xử lý có thể đang đạt đến giới hạn của nó, một số người suy đoán rằng sự cạnh tranh sẽ chuyển sang liên kết lai, một phương pháp được thiết kế để tối đa hóa tích hợp chip.