Trong một bước tiến đột phá của ngành công nghiệp bán dẫn, Samsung Electronics đã công bố việc ra mắt mẫu chip nhớ di động DRAM mới với tốc độ 10,7 gigabits mỗi giây (Gbps), đánh dấu mức tốc độ cao nhất thế giới hiện nay. Sản phẩm này không chỉ nổi bật với tốc độ nhanh chóng mà còn được thiết kế để tối ưu hóa hiệu suất và tiết kiệm năng lượng.

 

Kể từ khi giới thiệu RAM LPDDR5X với tốc độ 8,5 Gbps vào năm 2021, Samsung đã không ngừng nghiên cứu và phát triển để cải thiện khả năng của mình. Ba năm sau, hãng đã thành công trong việc nâng cấp tốc độ lên 10,7Gbps, vượt trội so với sản phẩm LPDDR5T 9,6 Gbps của đối thủ SK Hynix ra mắt năm trước.

 

Sản phẩm mới này không chỉ cung cấp khả năng chạy đa nhiệm mượt mà mà còn giúp giảm thời gian tải ứng dụng và tăng cường khả năng phản hồi của thiết bị. Với hiệu suất được cải thiện 25% so với thế hệ trước, DRAM mới của Samsung còn mang lại nhiều cải tiến về công nghệ sản xuất. Được chế tạo trên quy trình 12 nanomet, chip nhớ này có kích thước nhỏ gọn hơn và cho phép tăng 30% dung lượng, với khả năng sản xuất lên đến 32 GB. Điều này mở ra cánh cửa cho việc vận hành các mô hình AI lớn và phức tạp trên các thiết bị di động.

Đặc biệt, sản phẩm này được thiết kế để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng AI, trong bối cảnh mà các thiết bị di động ngày càng cần bộ nhớ RAM lớn hơn và tốc độ xử lý nhanh hơn. DRAM LPDDR5X mới cũng hỗ trợ giảm 25% mức tiêu thụ điện năng và có khả năng chuyển sang chế độ tiết kiệm năng lượng trong thời gian dài, là một lợi thế lớn khi được tích hợp vào thiết bị di động sử dụng pin.

 

Samsung dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM LPDDR5X với tốc độ 10,7Gbps vào nửa cuối của năm nay và cũng tiết lộ rằng hãng đang tiến hành nghiên cứu thế hệ LPDDR6, hứa hẹn những cải tiến tiếp theo trong tương lai gần.