Samsung Electronics đã giữ vị trí dẫn đầu vững chắc trong thị trường chip nhớ flash NAND với hơn 30% thị phần. Nhưng các công ty đối thủ dường như đang thách thức năng lực công nghệ của Samsung khi họ bắt đầu thể hiện tay nghề tốt hơn.

 

Bộ nhớ flash NAND là một loại công nghệ lưu trữ không bay hơi, không cần nguồn điện để lưu giữ dữ liệu. Với các thiết bị CNTT và máy chủ cho các trung tâm dữ liệu yêu cầu dung lượng lưu trữ lớn hơn, việc xếp chồng càng nhiều lớp mỏng càng tốt đã trở thành ưu tiên hàng đầu của các nhà sản xuất chip flash NAND.

 

Samsung vẫn chưa công bố công nghệ xếp chồng NAND mới nhất của mình vượt xa các chip 128 lớp hiện tại của mình, trong khi các đối thủ như SK hynix, Micron và Kioxia đang đua nhau tiết lộ các thiết kế tiên tiến. Điều này khiến các nhà phân tích tin rằng gã khổng lồ chip nhớ có thể đang đánh mất lợi thế công nghệ của mình.

 

Tháng 11 năm ngoái, nhà sản xuất chip Micron của Mỹ đã công bố sự phát triển của chip flash NAND 176 lớp đầu tiên trong ngành. SK Hynix tiếp theo là công bố chip 176 lớp của riêng mình vào tháng 12.

 

Kioxia của Nhật Bản gần đây cũng đã thông báo rằng họ đã thành công trong việc phát triển NAND 3D 162 lớp cùng với Western Digital. Họ cho biết sản phẩm mới nhỏ hơn 40% so với công nghệ 112 lớp trước đây và có thể cung cấp mật độ dày hơn và độ trễ đọc thấp hơn.

 

Jim Handy, một nhà phân tích ngành bán dẫn tại Objective Analysis, cho biết vị trí dẫn đầu của Samsung trong ngành flash NAND sẽ không sớm thay đổi, nhưng đồng ý rằng hãng này đang mất dần khả năng xếp chồng nhiều lớp hơn.

 

"Đúng vậy, Samsung đang đi sau các đối thủ của mình. Đây không phải là lần đầu tiên Samsung tụt lại phía sau đối thủ về đèn flash NAND. Tôi nhớ vào năm 2012 khi Samsung có quy trình kém tiên tiến nhất ở 27 nanomet trong khi những người khác đang xuất xưởng 24 nanomet hoặc Các bộ phận 25 nanomet, "nhà phân tích nói với The Korea Times.

 

Khi được hỏi tại sao Samsung không công bố đèn flash NAND mới của mình có ngăn xếp cao hơn 162 hoặc 176 lớp, Handy chỉ ra rằng công ty đã phụ thuộc quá nhiều vào công nghệ một tầng trong khi các đối thủ của họ chia ngăn xếp của họ thành hai tầng.

 

"Theo những gì tôi biết, việc có các ngăn xếp cao hơn là cách hiệu quả nhất để tăng dung lượng lưu trữ. Samsung đã theo đuổi con đường khó khăn hơn. Công ty tăng số lượng lớp của mình bằng cách sử dụng phương pháp một tầng trong khi những người khác chuyển sang hai tầng. Về lý thuyết, một boong đơn lẻ nên ít tốn kém hơn để sản xuất, nhưng cần nhiều thời gian hơn để phát triển và đây dường như là lý do khiến Samsung bị tụt lại phía sau", Jim Handy nói.

 

Samsung dự kiến ​​nhu cầu đối với chip NAND sẽ tăng trong năm nay vì sẽ có nhiều điện thoại thông minh được bán ra hơn, trong khi các biện pháp xa rời xã hội kéo dài cũng sẽ thúc đẩy doanh số bán các thiết bị CNTT như máy tính xách tay. Đối với nhu cầu máy chủ, các trung tâm dữ liệu cũng sẽ ngày càng đặt hàng chip NAND trong năm nay.

 

Để cạnh tranh tốt hơn với các đối thủ của mình, Samsung cũng đang chuẩn bị tung ra V-NAND thế hệ thứ bảy sử dụng phương pháp hai tầng, theo Giám đốc Tài chính Choi Yoon-ho của công ty. "Để cung cấp cho bạn thông tin cập nhật về NAND của chúng tôi, V-NAND thế hệ thứ sáu ngăn xếp đơn của chúng tôi đã hoàn tất quá trình nâng cấp. Và năm nay, chúng tôi sẽ mở rộng quy mô sản xuất. Ngoài ra, trong thế hệ tiếp theo, đó là V thế hệ thứ bảy -NAND, chúng tôi đang có kế hoạch áp dụng chồng đôi lần đầu tiên", Choi nói với các nhà đầu tư vào tháng Giêng. "Điều này sẽ mang lại cho chúng tôi lợi thế khi có chiều cao ngăn xếp nhỏ nhất trong ngành. Và trên hết, bằng cách sử dụng bí quyết mà chúng tôi đã tích lũy được khi làm việc với ngăn xếp đơn, chúng tôi hy vọng sẽ duy trì khả năng cạnh tranh chi phí vượt trội ngay cả với nhiều ngăn xếp trên V-NAND thế hệ thứ bảy".

 

Bất chấp tầm nhìn của công ty, nhà phân tích cho biết vẫn phải xem liệu Samsung có thể thấy kết quả tốt hơn rõ rệt với cách tiếp cận mới hay không.

 

"Việc phát triển một thiết bị một tầng khó hơn và điều đó đã làm chậm tiến độ của Samsung. Samsung đã tuyên bố rằng họ sẽ sử dụng cách tiếp cận hai tầng cho V-NAND thế hệ thứ bảy của mình. Vì Samsung chưa sản xuất thiết bị hai tầng. trên NAND, nó phải học cách làm điều gì đó mà các đối thủ của nó đã hiểu rất rõ", Jim Handy lưu ý.

 

Nhưng ông không thay đổi quan điểm của mình rằng Samsung sẽ tiếp tục dẫn đầu thị trường NAND. "Samsung đang duy trì vị trí dẫn đầu thị phần. Đây là trọng tâm chính của công ty, vì vậy tôi không nghĩ rằng điều đó sẽ thay đổi. Về công nghệ, Samsung đôi khi dẫn đầu và đôi khi đi sau. Ngày nay, công nghệ NAND của công ty đã đi sau một số đối thủ cạnh tranh của họ", nhà phân tích cho biết.

 

Nhà phân tích cho biết không nghi ngờ gì về việc Samsung sẽ duy trì vị trí dẫn đầu trong lĩnh vực kinh doanh NAND flash, nhưng về lâu dài, mối đe dọa lớn nhất đối với công ty Hàn Quốc có thể là Yangtze Memory Technologies (YMTC), nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất tại Trung Quốc.

 

Năm ngoái, YMTC đã gây kinh ngạc cho ngành công nghiệp chip nhớ khi công bố sự phát triển của NAND 3D 128 lớp. Công ty không chính thức công bố có khả năng sản xuất hàng loạt sản phẩm, nhưng việc phát triển thành công NAND 128 lớp có thể tăng sự hiện diện của nó trong ngành.