Công ty ChangXin Memory Technologies (CXMT) của Trung Quốc đã bắt đầu sản xuất hàng loạt nền tảng DRAM thế hệ thứ năm, qua đó củng cố vị thế của mình trên thị trường vốn bị thống trị bởi Samsung Electronics, SK hynix và Micron; đồng thời, công ty cũng đang chuẩn bị một dây chuyền nghiên cứu để có thể mở rộng sang mảng bộ nhớ flash NAND.
Hôm Chủ nhật, CXMT thông báo rằng nền tảng G5 của họ đã đi vào sản xuất hàng loạt, cùng với hai sản phẩm LPDDR5X dung lượng 24-gigabit dành cho điện thoại thông minh và các thiết bị di động khác. DRAM là bộ nhớ đệm mà bộ vi xử lý sử dụng để xử lý dữ liệu theo thời gian thực, đóng vai trò là thành phần cốt lõi trong máy tính cá nhân, điện thoại thông minh và máy chủ.
Công ty cho biết quy trình mới này có thể tạo ra số lượng chip thô (gross die) trên mỗi tấm wafer nhiều hơn ít nhất 50% so với nền tảng thế hệ trước, xét trên cơ sở tương đương dung lượng 8-gigabit. Chỉ số "gross die" đề cập đến số lượng chip tiềm năng được tạo ra từ một tấm wafer trước khi loại bỏ các sản phẩm lỗi, chứ không phải là mức tăng 50% về hiệu suất sản xuất (yield).
Sự kiện ra mắt này diễn ra trong bối cảnh CXMT đã vươn lên vị trí thứ tư trên thị trường DRAM toàn cầu. Theo dữ liệu từ TrendForce, công ty chiếm 9,5% doanh thu toàn ngành trong quý II, xếp sau Samsung (39,4%), SK hynix (24,9%) và Micron (23,3%).
CXMT cũng cho biết họ đã giảm kích thước "half-pitch" (khoảng cách giữa các đường dẫn) của vùng hoạt động trong mảng DRAM xuống còn 11,95 nanomet thông qua kỹ thuật tạo mẫu bốn lớp (quadruple patterning). Thông số này đo lường một đặc tính cụ thể bên trong mảng bộ nhớ và không thể so sánh trực tiếp với các tên gọi "nút quy trình" (process-node) mà các đối thủ sản xuất chip thường sử dụng.
Ông Choi Jung-dong, Phó chủ tịch kiêm chuyên gia phân tích chip nhớ tại công ty nghiên cứu bán dẫn TechInsights, phát biểu tại một hội thảo trực tuyến của ngành vào tháng 8 rằng CXMT vẫn đi sau các nhà sản xuất DRAM hàng đầu bất chấp những tiến bộ gần đây. Ông nhận định: "CXMT chậm hơn khoảng hai thế hệ so với các công ty dẫn đầu ngành, nhưng họ đang đều đặn thúc đẩy lộ trình phát triển HBM hướng tới các giải pháp bộ nhớ hiệu năng cao hơn."
Khi Samsung, SK hynix và Micron ưu tiên phát triển HBM (loại DRAM tốc độ cao dùng cho bộ vi xử lý AI) và bộ nhớ máy chủ, nguồn cung của một số sản phẩm truyền thống trở nên khan hiếm hơn, tạo cơ hội mở rộng cho các nhà cung cấp quy mô nhỏ hơn.
CXMT đang chuẩn bị gia nhập phân khúc bộ nhớ quan trọng thứ hai. Hãng tin Reuters hôm thứ Sáu đưa tin rằng công ty có kế hoạch thiết lập một dây chuyền sản xuất và nghiên cứu phát triển (R&D) chip NAND tại một nhà máy mới ở Bắc Kinh.
Khác với DRAM, NAND vẫn lưu giữ dữ liệu ngay cả khi mất điện và được sử dụng để lưu trữ trong các sản phẩm như điện thoại thông minh và ổ cứng thể rắn (SSD). Trong khi CXMT tập trung vào mảng DRAM, thì ngành công nghiệp NAND của Trung Quốc lại do Yangtze Memory Technologies dẫn dắt.
Dự án NAND này vẫn đang ở giai đoạn đầu. Reuters cho biết CXMT đã thảo luận kế hoạch với các khách hàng tiềm năng, nhưng chưa rõ khi nào dây chuyền sẽ đi vào hoạt động hoặc liệu công ty có tiến hành sản xuất ở quy mô thương mại hay không.
Theo dữ liệu từ TrendForce, Samsung dẫn đầu thị trường NAND toàn cầu với 29,3% thị phần doanh thu trong quý hai, trong khi Tập đoàn SK hynix (bao gồm cả Solidigm) đứng thứ hai với 18,2%. Nhu cầu đặc biệt mạnh mẽ đối với các loại SSD dành cho doanh nghiệp – loại ổ cứng sử dụng chip NAND để lưu trữ khối lượng dữ liệu lớn cho máy chủ.
"Các nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc vẫn chịu bất lợi rõ rệt về chi phí so với các đối thủ Hàn Quốc, nhưng tình trạng khan hiếm nguồn cung đã tạo thêm cơ hội để họ giành được đơn hàng và mở rộng sản xuất," một đại diện trong ngành nhận định. "Nếu chu kỳ tăng trưởng hiện tại kéo dài, sự cạnh tranh từ các nhà cung cấp Trung Quốc và Mỹ – vốn nhận được sự hỗ trợ mạnh mẽ từ chính phủ – sẽ trở thành vấn đề mà các công ty Hàn Quốc khó có thể phớt lờ."