Lễ động thổ sẽ diễn ra tại West Lafayette, Indiana, nơi SK hynix đang xây dựng một cơ sở đóng gói tiên tiến và trung tâm nghiên cứu bộ nhớ băng thông cao, theo các nguồn tin trong ngành hôm thứ Năm. Công ty đã bắt đầu gửi lời mời đến các khách hàng lớn và đối tác kinh doanh.
Chủ tịch Tập đoàn SK, ông Chey Tae-won, và Giám đốc điều hành SK hynix, ông Kwak Noh-jung, dự kiến sẽ tham dự, cùng với các lãnh đạo cấp cao từ các công ty công nghệ và nhà cung cấp lớn.
Buổi lễ cũng có thể đưa ông Chey và Giám đốc điều hành Nvidia, ông Jensen Huang, gặp lại nhau, mặc dù sự tham dự của ông Huang chưa được xác nhận. Hai người đã gặp nhau nhiều lần trong những tháng gần đây khi SK hynix tăng cường hợp tác với Nvidia về chip HBM và cơ sở hạ tầng AI.
Buổi lễ cũng có thể tập trung trở lại vào kế hoạch đầu tư thêm của SK hynix tại Mỹ.
Sau khi cổ phiếu của công ty được niêm yết trên sàn giao dịch chứng chỉ lưu ký Mỹ (US depositary receipt) vào tháng trước, ông Chey cho biết SK hynix đang xem xét đầu tư thêm ngoài dự án ở Indiana. Ông nói rằng việc xây dựng một nhà máy sản xuất bộ nhớ tại Mỹ cũng có thể là một lựa chọn nếu các điều kiện như điện, nước, lao động và cơ sở hạ tầng chuỗi cung ứng được đáp ứng.
SK hynix đã công bố dự án ở Indiana vào năm 2024, cho biết họ sẽ đầu tư 3,87 tỷ đô la vào một nhà máy đóng gói tiên tiến và cơ sở nghiên cứu và phát triển gần Đại học Purdue.
Công ty dự định bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2028. Nhà máy sẽ đóng gói HBM, một loại bộ nhớ ghép nhiều chip DRAM để cung cấp băng thông cần thiết cho bộ xử lý AI.
Chính phủ Hoa Kỳ đã cam kết tài trợ trực tiếp lên đến 450 triệu đô la và cho vay 500 triệu đô la cho dự án theo Đạo luật CHIPS.
Công tác chuẩn bị mặt bằng và đổ bê tông đã bắt đầu từ đầu năm nay, và lễ khởi công xây dựng quy mô lớn dự kiến diễn ra vào ngày 27 tháng 8.
Nhà máy ở Indiana sẽ cung cấp cho SK hynix một cơ sở sản xuất tại Hoa Kỳ cho việc đóng gói HBM tiên tiến khi nhu cầu về bộ nhớ liên quan đến AI tiếp tục tăng cao.